Samsung HBM4 良率达 80%，将重点转向产量
Samsung Electronics 已将其 HBM4 芯片的良率从早期量产时的低于 60% 提升至约 80%。这项改进有助于提高高价值 HBM 产品的产量。该公司计划将每月 HBM 晶圆输入量增加近 40%，从今年的 180,000 片增至明年的 250,000 片。Samsung 预计 HBM4 将占今年下半年其 HBM 总收入的 60% 以上。
Samsung HBM4 良率达到 80% 是关键一步；即将到来的产量更为重要。该公司预计明年每月 HBM 晶圆输入量将增加 40%。这项扩张，从 180,000 片增至 250,000 片，直接解决了 AI 加速器市场对高容量、高速内存的需求。单靠良率稳定并不能保证市场份额，还需要充足的供应。
产量增加使 Samsung 的产品组合转向高价值的 HBM4，其成本是 HBM3E 的两倍多。内存业务占 Samsung 运营利润的 97%。HBM 产量增加也限制了服务器和个人电脑的商品 DRAM 供应，从而增强了 Samsung 在这些市场的定价能力。这有助于 Samsung 在竞争激烈的亚洲半导体格局中提高整体盈利能力。
值得关注的是 HBM4E 的提升。Samsung 已于 5 月开始与客户验证 12 层 HBM4E 样本。其快速扩大 HBM4E 生产并保持良率的能力将决定其长期的市场领导地位。Samsung 预计明年运营利润达 561.2 万亿韩元，这取决于其执行情况。
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