🇨🇳中国·AI 新闻·2026年9月20日·来源： SCMP·由 5 个来源报道
中国长鑫存储推出新芯片制造平台，称接近“全球最先进”水平
中国存储芯片制造商长鑫存储技术（CXMT）宣布其第五代G5技术平台已进入量产。该公司声称这缩小了与三星和SK海力士等全球领先企业的差距。长鑫存储的G5平台采用11.95纳米工艺技术，将每片晶圆的芯片产出提高至少50%。该公司还展示了两款24吉比特LPDDR5X DRAM芯片，容量比上一代增加50%。
Nexa 摘要
长鑫存储声称其11.95纳米工艺技术接近全球领先企业使用的10纳米，这对于中国来说是一个重大的技术飞跃。“四重曝光”方法表明其在克服设备限制方面的创新途径。这一发展反映了中国坚定推动半导体自给自足，绕过对先进光刻工具的依赖。
长鑫存储的进展直接挑战了韩国巨头三星和SK海力士在关键DRAM市场的地位。尽管长鑫存储在绝对节点进步方面仍有差距，但每片晶圆存储密度提高50%改变了成本动态。这可能会对移动DRAM领域的竞争对手，特别是亚洲市场内的竞争对手造成定价压力。
长鑫存储面临的考验是市场采纳和规模化生产的持续良率。其持续生产高质量24吉比特LPDDR5X芯片的能力将决定其对全球供应链的影响。这对于既有秩序构成真正威胁，而不仅仅是象征性的胜利。
