🇰🇷韩国·AI 新闻·2026年9月20日·来源： 서울경제
中国长鑫存储启动第五代DRAM工艺量产
中国长鑫存储已启动其G5 DRAM工艺的量产，并推出两款24Gb LPDDR5X产品。该公司声称其工艺能力与业界先进节点相匹配。与第四代平台相比，这个新平台每晶圆的潜在晶粒数量至少增加50%。长鑫存储此举正值中国商品存储器供应增加之际，有助于缓解部分个人电脑芯片短缺问题。
Nexa 摘要
长鑫存储的G5 DRAM工艺直接挑战了现有市场参与者。其活动区域的11.95纳米半节距反映了显著的进步。8Gb产品每晶圆潜在晶粒数量增加50%，降低了每个芯片的成本。这使得长鑫存储能够在商品DRAM市场中进一步获得市场份额，该公司目前已占全球收入的9.5%。
长鑫存储此举将对Samsung、SK hynix和Micron构成压力。这些现有企业已将重点转向高带宽存储器（HBM）和高容量服务器DDR5。中国供应商现在正在填补商品市场的空白。这可能迫使全球三大巨头在其先前不重视的细分市场中更积极地捍卫价格。
值得关注的是长鑫存储所声称的工艺能力如何转化为实际良率。尽管该公司声称与先进节点持平，但具体良率和每月产量仍未披露。如果长鑫存储能实现大规模高良率生产，它将比预期更快地重塑商品DRAM市场，并可能阻止明年下半年的价格上涨。
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