Samsung HBM4 良率達 80%，將重點轉向產量
Samsung Electronics 已將其 HBM4 晶片的良率從早期量產時的低於 60% 提升至約 80%。這項改進有助於提高高價值 HBM 產品的產量。該公司計劃將每月 HBM 晶圓輸入量增加近 40%，從今年的 180,000 片增至明年的 250,000 片。Samsung 預計 HBM4 將佔今年下半年其 HBM 總收入的 60% 以上。
Samsung HBM4 良率達到 80% 是關鍵一步；即將到來的產量更為重要。該公司預計明年每月 HBM 晶圓輸入量將增加 40%。這項擴張，從 180,000 片增至 250,000 片，直接解決了 AI 加速器市場對高容量、高速記憶體的需求。單靠良率穩定並不能保證市場份額，還需要充足的供應。
產量增加使 Samsung 的產品組合轉向高價值的 HBM4，其成本是 HBM3E 的兩倍多。記憶體業務佔 Samsung 營運利潤的 97%。HBM 產量增加也限制了伺服器和個人電腦的商品 DRAM 供應，從而增強了 Samsung 在這些市場的定價能力。這有助於 Samsung 在競爭激烈的亞洲半導體格局中提高整體盈利能力。
值得關注的是 HBM4E 的提升。Samsung 已於 5 月開始與客戶驗證 12 層 HBM4E 樣本。其快速擴大 HBM4E 生產並保持良率的能力將決定其長期的市場領導地位。Samsung 預計明年營運利潤達 561.2 萬億韓圜，這取決於其執行情況。
相關文章
6 則
中國長鑫存儲推出新晶片製造平台，稱接近「全球最先進」水平
We recently covered China's CXMT touting its new chip manufacturing platform, a direct competitor in this space.
中國長鑫存儲啟動第五代DRAM製程量產
Our prior reporting on CXMT's mass production of 5th-generation DRAM processes offers a comparative view.
中國監管機構起草新規，保護青少年免受「親密」AI伴侶影響
特朗普與習近平峰會前夕，中美同意就人工智能展開對話
美銀分析師稱，美國和中國都無法單獨贏得AI競賽
