🇰🇷南韓·AI 新聞·2026年9月20日·來源： 서울경제
中國長鑫存儲啟動第五代DRAM製程量產
中國長鑫存儲已啟動其G5 DRAM製程的量產，並推出兩款24Gb LPDDR5X產品。該公司聲稱其製程能力與業界先進節點相匹配。與其第四代平台相比，這個新平台每晶圓的潛在晶粒數量至少增加50%。長鑫存儲此舉正值中國商品記憶體供應增加之際，有助於緩解部分個人電腦晶片短缺問題。
Nexa 摘要
長鑫存儲的G5 DRAM製程直接挑戰了現有市場參與者。其活動區域的11.95納米半節距反映了顯著的進步。8Gb產品每晶圓潛在晶粒數量增加50%，降低了每個晶片的成本。這使得長鑫存儲能夠在商品DRAM市場中進一步獲得市佔率，該公司目前已佔全球收入的9.5%。
長鑫存儲此舉將對Samsung、SK hynix和Micron構成壓力。這些現有企業已將重點轉向高頻寬記憶體（HBM）和高容量伺服器DDR5。中國供應商現在正在填補商品市場的空白。這可能迫使全球三大巨頭在其先前不重視的細分市場中更積極地捍衛價格。
值得關注的是長鑫存儲所聲稱的製程能力如何轉化為實際良率。儘管該公司聲稱與先進節點持平，但具體良率和每月產量仍未披露。如果長鑫存儲能實現大規模高良率生產，它將比預期更快地重塑商品DRAM市場，並可能阻止明年下半年的價格上漲。
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