Musk 的晶片豪賭威脅 Samsung，為供應商開啟大門

Musk 的 Terafab 項目旨在為 Tesla 的自動駕駛汽車、人形機械人以及 SpaceX 的人工智能數據中心內部生產邏輯和記憶體晶片。該計劃包括從晶片設計到先進封裝的所有環節，初步投資超過 168 億美元，位於德州的 Grimes County。這可能會減少 Samsung Electronics 未來除了與 Tesla 現有、直至 2033 年的 AI6 協議之外的晶片合約製造量。

Terafab 內部邏輯晶片生產的成功取決於獲得先進製程技術和穩定的製造良率。據報 Intel 正在參與，Musk 表示有意使用 Intel 的 1.4 納米級「14A」技術。據報與全球最大晶圓代工廠 TSMC 的談判因營運控制問題而陷入僵局，因為 Musk 打算自行營運該設施，這與 TSMC 的典型營運原則相悖。

儘管 Terafab 的長期目標包括內部記憶體生產，但先進記憶體，特別是高頻寬記憶體（HBM）的時間表似乎較不明確。HBM 需要超越基本 DRAM 製造的複雜封裝技術。Terafab 尚未披露何時或將生產多少 HBM，據報其明年首次試產將是用於製程驗證的靜態隨機存取記憶體（SRAM）電路，而非 DRAM。如果邏輯晶片生產首先擴張，人工智能應用所需的複雜記憶體在相當長一段時間內可能仍將依賴外部供應商，這可能為韓國記憶體公司創造機會。