中國長鑫存儲宣傳下一代DRAM，但未提供規格或發佈日期

長鑫存儲宣佈推出4F² DRAM，這表明儘管美國對先進晶片製造設備實施出口管制，該公司仍在努力推進記憶體技術。透過改變DRAM單元結構，中國旨在提高密度，而無需直接依賴極紫外光（EUV）微影技術。這項結構創新代表了對現有技術壁壘的策略性規避，重點在於設計而非製程節點縮小。

然而，業界專家警告，產品發佈不應與立即大規模生產劃上等號。Kwon Seok-joon教授指出，長鑫存儲的聲明中沒有提及樣品或大規模生產，這表明在2027年末或2028年初之前，不太可能實現有意義的產量。這個時間表反映了在實現足夠良率和獲得伺服器DRAM客戶認證方面的重大挑戰，這些都是初步開發之後的關鍵步驟。

關於長鑫存儲領先韓國技術兩年的說法似乎言過其實。雖然4F²理論上提供更高的密度，但長鑫存儲據報使用15奈米線寬，這意味著其最初的4F²產品在密度上與韓國製造商目前12.2奈米的6F²產品相當。Samsung和SK hynix都已展示或研究過4F²技術，這表明這是一個競爭激烈的領域，而非長鑫存儲取得顯著領先。