KnowMade 指出，中國佔 2026 年第二季度新增射頻氮化鎵專利家族的大多數

中國新增射頻氮化鎵專利發佈的集中，特別是來自中國電子科技集團等工業公司和西安電子科技大學等學術機構的專利，表明了強勁的、以國內為重點的創新努力。雖然大多數中國的保護策略仍限於中國境內，但華為、Ampleon 和三安提交 PCT 申請，表明他們有意在主要市場之外尋求更廣泛的國際保護。

新發明的重點在於射頻氮化鎵器件、電路和應用，而非晶圓或封裝，這突顯了目前射頻氮化鎵供應鏈中公開的發明活動所集中的領域。這種分佈意味著最近的努力旨在改進器件性能和整合，而非基礎材料或製造工藝創新。

超過 30 家新進入者（其中大多數為中國公司，包括聯華半導體）的出現，表明了一個充滿活力且不斷擴大的創新基礎。這些早期發佈，例如聯華半導體在降低 HEMT 寄生電容方面的工作，可以在這些公司建立龐大專利組合之前，提供對技術優先事項和潛在未來競爭格局的早期視角。在中國以外，Seoul Viosys 在氮化鎵 HEMT 外延方面的工作也指向了類似的基礎研究努力。