三星将利用台积电3纳米生产线为Nvidia定制HBM

三星决定与晶圆代工竞争对手台积电合作，生产 Nvidia 定制 HBM 的核心组件，这反映了对特定技术和供应链压力的回应。Nvidia 的 NVHBM 设计需要超精细的3纳米逻辑制程来生产其基础芯片，以整合从 GPU 重新定位的功能，旨在提高性能和电源效率。这种先进的制程能力，加上高良率，似乎是选择台积电的关键因素。

据报道，台积电的3纳米良率超过90%，这与 Samsung Foundry 可比较的2纳米 SF2 制程（估计约为60%）形成显著对比。对于 Nvidia 而言，将基础芯片生产整合到台积电，由于良率较高，可提供更大的稳定性和潜在的成本效益。这种技术差异有助于解释为何晶圆代工服务的直接竞争对手能够成为内存生产的关键合作伙伴。

除了技术规格，此次合作还解决了预计的 HBM 供应短缺问题。瑞银预测明年 HBM 需求将增长91%，达到约615亿吉比特，而新出货量预计只能覆盖约546亿吉比特。据报道，三星现有的基础芯片产能有限，因此台积电额外的3纳米生产线是满足 NVHBM 等定制 HBM 解决方案不断增长需求的必要措施。