Musk 的芯片豪赌威胁 Samsung，为供应商开启大门

Musk 的 Terafab 项目旨在为 Tesla 的自动驾驶汽车、人形机器人以及 SpaceX 的人工智能数据中心内部生产逻辑和存储器芯片。该计划包括从芯片设计到先进封装的所有环节，初步投资超过 168 亿美元，位于德州的 Grimes County。这可能会减少 Samsung Electronics 未来除了与 Tesla 现有、直至 2033 年的 AI6 协议之外的芯片合同制造量。

Terafab 内部逻辑芯片生产的成功取决于获得先进工艺技术和稳定的制造良率。据报 Intel 正在参与，Musk 表示有意使用 Intel 的 1.4 纳米级“14A”技术。据报与全球最大晶圆代工厂 TSMC 的谈判因运营控制问题而陷入僵局，因为 Musk 打算自行运营该设施，这与 TSMC 的典型运营原则相悖。

尽管 Terafab 的长期目标包括内部存储器生产，但先进存储器，特别是高带宽存储器（HBM）的时间表似乎较不明确。HBM 需要超越基本 DRAM 制造的复杂封装技术。Terafab 尚未披露何时或将生产多少 HBM，据报其明年首次试产将是用于工艺验证的静态随机存取存储器（SRAM）电路，而非 DRAM。如果逻辑芯片生产首先扩张，人工智能应用所需的复杂存储器在相当长一段时间内可能仍将依赖外部供应商，这可能为韩国存储器公司创造机会。