中国长鑫存储宣传下一代DRAM，但未提供规格或发布日期

长鑫存储宣布推出4F² DRAM，这表明尽管美国对先进芯片制造设备实施出口管制，该公司仍在努力推进内存技术。通过改变DRAM单元结构，中国旨在提高密度，而无需直接依赖极紫外光（EUV）光刻技术。这项结构创新代表了对现有技术壁垒的战略性规避，重点在于设计而非工艺节点缩小。

然而，业界专家警告，产品发布不应与立即大规模生产划上等号。Kwon Seok-joon教授指出，长鑫存储的声明中没有提及样品或大规模生产，这表明在2027年末或2028年初之前，不太可能实现有意义的产量。这个时间表反映了在实现足够良率和获得服务器DRAM客户认证方面的重大挑战，这些都是初步开发之后的关键步骤。

关于长鑫存储领先韩国技术两年的说法似乎言过其实。虽然4F²理论上提供更高的密度，但长鑫存储据报使用15纳米线宽，这意味着其最初的4F²产品在密度上与韩国制造商目前12.2纳米的6F²产品相当。Samsung和SK hynix都已展示或研究过4F²技术，这表明这是一个竞争激烈的领域，而非长鑫存储取得显著领先。