KnowMade 指出，中国占据 2026 年第二季度新增射频氮化镓专利家族的大多数

中国新增射频氮化镓专利发布的集中，特别是来自中国电子科技集团等工业公司和西安电子科技大学等学术机构的专利，表明了强劲的、以国内为重点的创新努力。虽然大多数中国的保护策略仍限于中国境内，但华为、Ampleon 和三安提交 PCT 申请，表明他们有意在主要市场之外寻求更广泛的国际保护。

新发明的重点在于射频氮化镓器件、电路和应用，而非晶圆或封装，这突显了目前射频氮化镓供应链中公开的发明活动所集中的领域。这种分布意味着最近的努力旨在改进器件性能和集成，而非基础材料或制造工艺创新。

超过 30 家新进入者（其中大多数为中国公司，包括联华半导体）的出现，表明了一个充满活力且不断扩大的创新基础。这些早期发布，例如联华半导体在降低 HEMT 寄生电容方面的工作，可以在这些公司建立庞大专利组合之前，提供对技术优先事项和潜在未来竞争格局的早期视角。在中国以外，Seoul Viosys 在氮化镓 HEMT 外延方面的工作也指向了类似的基础研究努力。