三星推出堆疊式 zHBM 記憶體,AI 速度提升 10 倍
Samsung Electronics 和 SK hynix 在 Santa Clara 舉行的 AI Infra Summit 上展示了下一代記憶體技術。三星展示了 zHBM,一種直接堆疊在 AI 加速器上的記憶體。SK hynix 則推出了記憶體內運算 (PIM),可直接在記憶體晶片內進行運算。這些創新旨在顯著加速 AI 效能。三星預計對話式 AI 的回應速度將提升十倍,從每秒 100 個 token 增至 1,000 個。
除了更快的記憶體,AI 架構正在發生根本性轉變。三星的 zHBM 和 SK hynix 的 PIM 都透過將運算移至更靠近記憶體或記憶體內部來解決 GPU-HBM 瓶頸。三星為代理式 AI 設定的每秒 1,000 個 token 的目標雄心勃勃。這表明未來記憶體設計將決定 AI 系統的能力,而不僅僅是 GPU 的算力。
三星和 SK hynix 之間的競爭直接有利於韓國在半導體領域的主導地位。兩家公司都在推動記憶體創新,超越 HBM 的漸進式提升。SK hynix 聲稱 PIM 在相同面積下提供的容量是 SRAM 的 300 倍。這可能使韓國公司在全球供應下一代 AI 加速器所需的高階記憶體方面獲得關鍵優勢。
值得關注的是主要 AI 晶片設計商的採用情況。NVIDIA、AMD 和 Intel 必須將這些新的記憶體解決方案整合到他們的下一代平台中。如果 zHBM 或 PIM 成為標準,將鞏固韓國在 AI 供應鏈中的地位。兩家公司面臨的考驗是展示超越其峰會演示的實際效能提升。
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