中國在沒有先進光刻工具的情況下，在3納米晶片方面取得進展

中國在3納米以下DUV技術的突破並非關於大規模生產，而是證實了該國致力於開闢替代晶片製造路徑的決心。中國科學院（CAS）展示了一條初步的環繞閘極（GAA）器件開發路徑。這項技術利用了較不先進的深紫外光（DUV）光刻技術，從而規避了美國對ASML EUV工具的制裁。目前重點在於基礎研究，而非即時商業化。

這項發展提升了台灣晶片代工廠，特別是TSMC的競爭壓力。儘管TSMC在先進EUV技術方面處於領先地位，但中國在3納米以下DUV節點的進展，最終可能減少對台灣晶圓廠在某些先進晶片上的依賴。TSMC面臨的考驗是，其技術領先能否在中國發展自身能力的同時保持市場份額。這將使中國具備競爭力的先進製造時間表提前。

值得關注的是中國從實驗室突破到試驗生產線，再到量產的速度。這將決定對全球供應鏈的實際影響。如果中國能在2030年前實現哪怕是有限的3納米以下DUV生產，將顯著改變半導體格局。這將挑戰目前依賴EUV的製造商的主導地位。