英飞凌在欧洲建立首个用于300毫米晶圆的氮化镓功率半导体大批量生产厂

英飞凌的新设施专注于氮化镓（GaN）功率半导体，该公司表示这能显著提高各种应用的效率。这些应用范围从AI数据中心和能源基础设施到电动交通、机器人技术和消费电子产品。这项投资旨在应对对高性能电源解决方案迅速增长的需求，表明了在各个领域推动更节能电子产品的更广泛努力。

这项投资的一个关键方面是使用300毫米晶圆进行制造。英飞凌报告称，这种更大的晶圆尺寸与较小的200毫米标准相比，每片晶圆可生产多2.3倍的芯片。预计每片晶圆芯片产量的增加将能实现更高效且具成本效益的制造产能扩张，可能使GaN技术更容易普及。

该公司首席执行官Jochen Hanebeck表示，此举将是全球首次将氮化镓功率电子产品投入批量生产。这种在300毫米晶圆上进行的规模化制造被视为将GaN整合到更广泛设备中的一步，为更广阔的市场提供该材料的效率优势。该倡议还获得了欧洲芯片法案下高达3.19亿欧元的奥地利国家援助，凸显了加强半导体制造能力的战略性区域努力。