据报长鑫存储前CEO涉嫌向韩国工程师施压，以获取三星DRAM技术

该证词强调，长鑫存储前CEO David Wang涉嫌直接施压，旨在获取三星先进的18纳米DRAM技术。据称，这种施压包括威胁，并使用代号“黄山”来指代三星电子，这表明获取专有信息的努力是蓄意且秘密的。18纳米制程是三星在2016年的一项重大突破，代表着巨大的投资和微型化成就。

提供证词的前三星员工（姓全）随后因非法泄露和使用该技术而被起诉并判刑。全某的陈述表明，长鑫存储对这项技术的追求是受到中国政府巨大压力的驱动，据称中国政府将对长鑫存储的投资与该公司实现18纳米生产的能力挂钩。这意味着长鑫存储可能没有计划独立开发该技术。

据称对具体制造细节（例如600步制程配方计划）的要求，凸显了先进半导体制造中对详细、经证实生产方法的重视。检察官认为，该CEO的威胁表明他知道这是非法活动，这指向所寻求信息的敏感性和专有性质。这宗事件揭示了全球半导体行业内，特别是关于先进存储技术方面，所面临的巨大风险和竞争压力。