🇰🇷韩国·AI 新闻·2026年9月21日·来源： 서울경제
中国长鑫存储启动第五代DRAM量产
中国长鑫存储技术有限公司（CXMT）已开始量产其第五代G5 DRAM。与第四代相比，这项新工艺使每晶圆的晶粒数量至少增加50%。长鑫存储在全球DRAM收入中占9.5%的份额，排名第四。该公司还宣布量产LPDDR6并试产HBM3E。
Nexa 摘要
CXMT的G5 DRAM量产直接挑战了全球存储领域的现有巨头。在8Gb等效基础上，每晶圆的晶粒数量增加50%，显示出制造能力的显著飞跃。CXMT有望填补商品DRAM市场的空白，而主要参与者则专注于HBM和高容量服务器DDR5。
这一发展将对韩国存储巨头Samsung Electronics和SK hynix构成压力。随着CXMT在商品DRAM领域的扩张，可能会削弱现有巨头捍卫价格的能力。Samsung和SK hynix面临的考验是，他们对HBM和DDR5的专注能否抵消更广泛市场中日益激烈的竞争。
真正值得关注的是CXMT的HBM3E试产。如果CXMT能够迅速扩大HBM3E的规模，它将直接在高价值领域竞争，该领域目前由韩国和美国公司主导。这将从根本上改变全球存储格局，预计到2027年。
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