英飛凌在歐洲建立首個用於300毫米晶圓的氮化鎵功率半導體大批量生產廠

英飛凌的新設施專注於氮化鎵（GaN）功率半導體，該公司表示這能顯著提高各種應用的效率。這些應用範圍從AI數據中心和能源基礎設施到電動交通、機械人技術和消費電子產品。這項投資旨在應對對高性能電源解決方案迅速增長的需求，表明了在各個領域推動更節能電子產品的更廣泛努力。

這項投資的一個關鍵方面是使用300毫米晶圓進行製造。英飛凌報告稱，這種更大的晶圓尺寸與較小的200毫米標準相比，每片晶圓可生產多2.3倍的晶片。預計每片晶圓晶片產量的增加將能實現更高效且具成本效益的製造產能擴張，可能使GaN技術更容易普及。

該公司行政總裁Jochen Hanebeck表示，此舉將是全球首次將氮化鎵功率電子產品投入批量生產。這種在300毫米晶圓上進行的規模化製造被視為將GaN整合到更廣泛設備中的一步，為更廣闊的市場提供該材料的效率優勢。該倡議還獲得了歐洲晶片法案下高達3.19億歐元的奧地利國家援助，突顯了加強半導體製造能力的戰略性區域努力。