中国在没有先进光刻工具的情况下，在3纳米芯片方面取得进展

中国在3纳米以下DUV技术的突破并非关于大规模生产，而是证实了该国致力于开辟替代芯片制造路径的决心。中国科学院（CAS）展示了一条初步的环栅（GAA）器件开发路径。这项技术利用了较不先进的深紫外（DUV）光刻技术，从而规避了美国对ASML EUV工具的制裁。目前重点在于基础研究，而非即时商业化。

这项发展提升了台湾芯片代工厂，特别是TSMC的竞争压力。尽管TSMC在先进EUV技术方面处于领先地位，但中国在3纳米以下DUV节点上的进展，最终可能减少对台湾晶圆厂在某些先进芯片上的依赖。TSMC面临的考验是，其技术领先能否在中国发展自身能力的同时保持市场份额。这将使中国具备竞争力的先进制造时间表提前。

值得关注的是中国从实验室突破到试验生产线，再到量产的速度。这将决定对全球供应链的实际影响。如果中国能在2030年前实现哪怕是有限的3纳米以下DUV生产，将显著改变半导体格局。这将挑战目前依赖EUV的制造商的主导地位。